一种基于烷烃与硅烷反应的SiC-CVD制程尾气为反应循环气FTrPSA可调节方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112657314 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011537652.0 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人 浙江天采云集科技股份有限公司 地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市经济开 发区双联路128号科创中心D座503室 (72)发明人 汪兰海　钟娅玲　钟雨明　陈运　 唐金财　蔡跃明　 (51)Int.Cl. B01D 53/047 (2006.01) C01B 33/04 (2006.01) C01B 3/50 (2006.01) C01B 3/56 (2006.01) 权利要求书3页 说明书8页 附图6页 (54)发明名称 一种基于烷烃与硅烷反应的SiC-CVD制程尾 气为反应循环气FTrPSA可调节方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于烷烃与硅烷反应的 SiC‑CVD制程尾气为反应循环气FTrPSA可调节方 法，通过预处理、中温变压吸附、浅冷变压吸附浓 缩、吸附净化、中浅温冷凝及中浅冷精馏诸多工 序，实现以基于烷烃（甲烷或丙烷）与硅烷反应的 SiC‑CVD晶体或薄膜外延生长制程尾气作为SiC‑ CVD反应的循环气使用，并且可通过对循环反应 气中各组分浓度及流量的调节，使得SiC晶体或 薄膜的沉积效率与质量大幅度提高，既实现尾气 的综合利用，又减少了尾气排放，弥补了SiC‑CVD 制程尾气处理技术的空白。 A 4 1 3 7 5 6