一种单片集成高速调制硅基光芯片及制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117908186 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410104574.7 (22)申请日 2024.01.25 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 欧欣　蔡佳辰　周李平　王成立　 (74)专利代理机构 上海泰博知识产权代理有限 公司 31451 专利代理师 魏峯 (51)Int.Cl. G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/136 (2006.01) G02B 6/132 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种单片集成高速调制硅基光芯片及制备 方法 (57)摘要 本发明涉及一种单片集成高速调制硅基光 芯片及制备方法，从下至上依次包括硅基光电子 层(I)、中间层(II)、铌酸锂层或钽酸锂层(III)； 所述硅基光电子层(I)从下至上包括衬底(1)、绝 缘层(2)、硅波导(3)、InP激光器(4)、硅锗光电探 测器(5)和热光移相器(6)。本发明基于铌酸锂 (或钽酸锂)优良的电光调制性能，聚焦于特殊的 键合方法和CMOS兼容的硅光子流片工艺，获得了 铌酸锂(或钽酸锂)‑硅多层结构，进一步地实现 了激光器、光电探测器、电光调制器全集成的收 发一体光芯片，其能够满足当前片上光系统对于 A 高紧凑性和低功耗的要求。 6