存储器单元、存储器系统与存储器单元的操作方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113314168 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110457682.9 (22)申请日 2021.04.27 (30)优先权数据 63/016,420 2020.04.28 US 17/166,570 2021.02.03 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 王屏薇　陈瑞麟　林祐宽　 (74)专利代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 黄艳 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01) 权利要求书2页 说明书15页 附图13页 (54)发明名称 存储器单元、存储器系统与存储器单元的操 作方法 (57)摘要 本公开提供存储器单元、存储器系统与存储 器单元的操作方法。存储器单元的第一层包括一 第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管和第 二晶体管以交叉耦接配置彼此连接。第一晶体管 的一第一漏极结构是电性耦接到第二晶体管的 一第一栅极结构。第二晶体管的一第二漏极结构 是电性耦接至第一晶体管的一第二栅极结构。存 储器单元的第二层包括电性耦接于第一晶体管 的第一漏极结构的一第一磁穿隧接面元件，以及 电性耦接于第二晶体管的第二漏极结构的一第 二磁穿隧接面元件。第二层位于第一层的上方。 A 8 6 1 4 1 3 3 1 1