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发明

基于纳米线阵列薄膜压力传感器的制备方法及压力传感器2023

2023-10-11 07:20:47 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202311109543.2
  • 公开（公告）日：2023-11-28
  • 公开（公告）号：CN116835523A
  • 申请人：常州天策电子科技有限公司
摘要：本发明专利涉及基于纳米线阵列薄膜压力传感器的制备方法及压力传感器，具有硅片、铂片、PET薄膜、旋涂机、光刻机和磁控溅射腔室；包括制备金纳米线阵列层的工艺步骤、制备PET保护层的工艺步骤、以及将金纳米线阵列层和PET保护层结合的工艺步骤，还包括传感器本体，传感器本体由一个金纳米线阵列层和两个PET保护层组成，PET保护层依次包括PVA气导层、碳浆层、银电极层和PET薄膜，金纳米线阵列层和各个PET保护层加热固定后，传感器本体的由中层至上下两端分别为金纳米线阵列层、PVA气导层、碳浆层、银电极层和PET薄膜。本发明结构巧妙，且可以适用各种场景，具有较好的测向性和灵敏度，高效实用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116835523 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202311109543.2 B82Y 15/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) (22)申请日 2023.08.31 C23C 14/18 (2006.01) (71)申请人 常州天策电子科技有限公司 C23C 14/54 (2006.01) 地址 213000 江苏省常州市武进区常武中 路18号常州科教城大连理工大学江苏 研究院科技产业大厦A105-106 (72)发明人 王峰　李卓　倪海彬　 (74)专利代理机构 常州易瑞智新专利代理事务 所(普通合伙) 32338 专利代理师 周浩杰 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) G01L 1/22 (2006.01) G01L 9/04 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 基于纳米线阵列薄膜压力传感器的制备方 法及压力传感器 (57)摘要

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