一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法和固态纳米孔器件2023

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116854030 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310583779.3 (22)申请日 2023.05.23 (71)申请人 广东工业大学 地址 510000 广东省广州市越秀区东风东 路729号 (72)发明人 袁志山　胡杰铭　林艳邦　王成勇　 (74)专利代理机构 广州市时代知识产权代理事 务所(普通合伙) 44438 专利代理师 梁发华 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) C12Q 1/6869 (2018.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备 方法和固态纳米孔器件 (57)摘要 本发明涉及基因检测设备技术领域，具体涉 及一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方 法和固态纳米孔器件。S1 .将洁净的Si N 薄膜芯 3 4 片置于真空腔内，在Si N 薄膜芯片表面进行辐 3 4 照，使Si N 薄膜表面诱导出损伤区 ；S2 .将诱导 3 4 了损伤区的Si N 薄膜芯片清洗，随后载入液池 3 4 腔室 ，采用介电