MEMS器件封装方法及封装结构

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113336187 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202010093211.X (22)申请日 2020.02.14 (71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公 司 地址 312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路 518号 (72)发明人 王晓东　刘国安　 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 代理人 曹廷廷 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 MEMS器件封装方法及封装结构 (57)摘要 本发明提供了一种MEMS器件封装方法及封 装结构，在所述器件晶圆的表面上覆盖键合介质 层之后且在刻蚀键合介质层以形成电极沟槽之 前，先对所述键合介质层的顶面进行平坦化，由 此可以改善键合介质层用于键合的表面的平整 度，避免键合后的盖板晶圆和相应的键合界面之 间产生空洞，由此降低后续在去除两晶圆之间的 键合介质层时对键合界面处的键合介质层的侧 向刻蚀量，继而保证键合可靠性，避免盖板晶圆 剥离。而且，由于使用剥离工艺来在电极沟槽中 形成电极，由此可以在键合前能省去电极层刻蚀 的步骤，且形成的电极的顶部上不再覆盖有多余 A 的键合介质层，由此简化了工艺并降