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一种基于压电PVDF薄膜的复合SERS基底的制备方法2025

2024-03-02 07:34:35 发布于四川 6
  • 申请专利号:CN202311394481.4
  • 公开(公告)日:2025-08-05
  • 公开(公告)号:CN117589744A
  • 申请人:宁波大学
摘要:本发明公开了一种基于压电PVDF薄膜的复合SERS基底的制备方法,特点是包括以下步骤:(1)将块状黑磷按分散在N‑甲基吡咯烷酮NMP溶液中通过离心剥离制备得到黑磷纳米片BP NSs悬浮液;(2)将GO悬浮液分散于BP NSs悬浮液中制备得到氧化石墨烯/黑磷GOBP复合物溶液;(3)将GOBP复合物溶液悬涂在PVDF薄膜上,即得到基于压电PVDF薄膜的复合SERS基底;优点是促进了半导体复合物中电子‑空穴对的分离,电荷转移速率得到提升,半导体SERS性能显著增强。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117589744 A (43)申请公布日 2024.02.23 (21)申请号 202311394481.4 (22)申请日 2023.10.26 (71)申请人 宁波大学 地址 315211 浙江省宁波市江北区风华路 818号 (72)发明人 姜涛 张佳瑶  (74)专利代理机构 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 专利代理师 何仲 (51)Int.Cl. G01N 21/65 (2006.01) C01B 32/198 (2017.01) C01B 25/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种基于压电PVDF薄膜的复合SERS基底的 制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于压电PVDF薄膜的复 合SERS基底的制备方法,特点是包括以下步骤: (1)将块状黑磷按分散在N‑甲基吡咯烷酮NMP溶 液中通过离心剥离制备得到黑磷纳米片BP NSs 悬浮液;(2)将GO悬浮液分散于BP NSs悬浮液中 制备得到氧化石墨烯/黑磷GOBP复合物溶液;(3) 将GOBP复合物溶液悬涂在PVDF薄膜上,即得到基 于压电PVDF薄膜的复合SERS基底;优点是促进了 半导体复合物中电子‑空穴对的分离,电荷转移 速率得到提升,半导体SERS性能显著增强。 A 4 4 7 9 8 5 7 1 1 N C CN 117589744 A

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