一种在微电子机械制造工艺中防止立体微结构侧壁底切刻蚀的方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112551481 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202011413936.9 (22)申请日 2020.12.07 (71)申请人 山东大学 地址 250199 山东省济南市历城区山大南 路27号 (72)发明人 程文雍　赵兴海　 (74)专利代理机构 济南金迪知识产权代理有限 公司 37219 代理人 孙倩文 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种在微电子机械制造工艺中防止立体微 结构侧壁底切刻蚀的方法 (57)摘要 本发明涉及一种在微电子机械制造工艺中 防止立体微结构侧壁底切刻蚀的方法，属于微电 子机械系统制造技术领域，包括首先，通过LPCVD 工艺在已经生成立体微结构的晶圆衬底表面沉 积一层保角薄膜层作为保护层；然后，将不需要 保护的区域采用干法刻蚀去除该处的保角薄膜 层，并进行后续的湿法/气相腐蚀，保角薄膜层能 够在已经刻蚀的立体微结构表面、侧壁、底部和 任何的狭小角落形成一层致密的均匀覆盖的保 护层从而防止腐蚀性物质的侵入；最后，当完成 后续的湿法/气相腐蚀后，采用普通的干法刻蚀 A 技术除去保角薄膜层。本发明保护性强、效果可 1 靠，能够有效防止在后续的氢氟酸湿法腐蚀或气 8 4 1 相刻蚀中底切刻蚀的发生，提高波导器件性能。 5 5 2 1 1 N C CN