具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114360616 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202110668224.X (22)申请日 2021.06.16 (30)优先权数据 63/090,765 2020.10.13 US 17/319,127 2021.05.13 US (71)申请人 力旺电子股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学园区 (72)发明人 张家福　古惟铭　陈英哲　 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 徐协成 (51)Int.Cl. G11C 17/16 (2006.01) G11C 17/18 (2006.01) 权利要求书4页 说明书15页 附图19页 (54)发明名称 具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器 及编程控制方法 (57)摘要 具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器 及编程控制方法。该非易失性存储器包括一存储 器胞阵列、一电流供应电路、一路径选择电路、一 验证电路与一控制电路。在一验证动作的一采样 区间时，该控制电路控制该电流供应电路提供n 个第M参考电流至该n个验证元件，并转换为n个 参考电压。在该验证动作的一验证区间时，该控 制电路控制一选定行的n个多阶型存储器胞产生 n个存储器胞电流至该n个验证元件，并转换为n 个感测电压。该n个验证元件根据对应的该参考 电压与对应的该感测电压，产生该n个验证信号， A 使得该控制电路决定该n个多阶型存储器胞是否