一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成制备方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113371674 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110593586.7 (22)申请日 2021.05.28 (71)申请人 杭州电子科技大学温州研究院有限 公司 地址 325024 浙江省温州市龙湾区瑶溪街 道南洋大道浙南云谷B幢3、4层 申请人 杭州电子科技大学 (72)发明人 王高峰　王明浩　程瑜华　 (74)专利代理机构 杭州君度专利代理事务所 (特殊普通合伙) 33240 代理人 陈炜 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成 制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种宽量程压力传感器芯片 及其单片集成制备方法。现有的压力传感器芯片 存在线性度和灵敏度低以及量程较窄的问题。本 发明涉及压阻式压力传感器的单片微加工制备。 该压力传感器主要由真空腔室、压力敏感膜以及 由四个压阻形成的惠斯通电桥构成。其中，压力 敏感膜由硅膜和聚酰亚胺膜构成，这种新型的 硅‑聚酰亚胺复合压敏膜一方面可以通过增加膜 厚来增大压力传感器的测量范围，另一方面通过 刚性和柔性的结合可以提高压力传感器的灵敏 度和线性度。当外界压力变化时，硅膜和聚酰亚 A 胺膜的共同形变引起压阻的阻值变化并使得惠