制造半导体器件的方法和半导体器件制造工具

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112987515 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011394519.4 (22)申请日 2020.12.02 (30)优先权数据 62/942,655 2019.12.02 US 16/952,698 2020.11.19 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 李邦鼎　李蕙君　杨展亮　 (74)专利代理机构 北京东方亿思知识产权代理 有限责任公司 11258 代理人 赵艳 (51)Int.Cl. G03F 7/38 (2006.01) G03F 7/004 (2006.01) 权利要求书1页 说明书21页 附图20页 (54)发明名称 制造半导体器件的方法和半导体器件制造 工具 (57)摘要 本发明涉及制造半导体器件的方法和半导 体器件制造工具。具体地，所述制造半导体器件 的方法包括在基板上方形成包括光致抗蚀剂组 合物的光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层选择 性地暴露于光化辐射。在将所述光致抗蚀剂层选 择性地暴露于光化辐射之后，加热所述光致抗蚀 剂层。在加热期间，所述光致抗蚀剂层暴露于大 于45％相对湿度的环境中。在所述加热后使所述 光致抗蚀剂层显影，以在所述光致抗蚀剂层中形 成图案。 A 5 1 5 7 8 9 2 1 1 N C CN 112987515 A