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发明

基于超高通量快中子反应堆辐照生产超钚同位素的中子单向流动方法2025

2024-04-16 07:18:18 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202311661595.0
  • 公开（公告）日：2025-03-28
  • 公开（公告）号：CN117877780A
  • 申请人：上海交通大学
摘要：本发明涉及基于超高通量快中子反应堆辐照生产超钚同位素的中子单向流动方法，将控制材料布置在燃料区和慢化区之间，核燃料裂变产生的快中子能够穿过控制材料进入慢化区和靶区，从而被慢化成热中子用于辐照生产，靶区内的热中子在接触控制材料后被吸收，无法到达燃料区，不会引发裂变。与现有技术相比，本发明的方法解决了基于超高通量快中子反应堆辐照生产超钚同位素的辐照孔道周边燃料区裂变功率骤升的问题，降低了该区域的裂变功率和温度，实现了热中子的单向流动，提高了基于超高通量快中子反应堆辐照生产超钚同位素的生产能力、安全性和经济性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117877781 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202311136590.6 (22)申请日 2023.09.05 (66)本国优先权数据 202211232520.6 2022.10.10 CN (71)申请人 中硼（厦门）医疗器械有限公司 地址 361026 福建省厦门市海沧区翁角西 路2060号 (72)发明人 刘渊豪　卢威骅　舒迪昀　 (51)Int.Cl. G21K 1/00 (2006.01) A61N 5/10 (2006.01) G21K 1/06 (2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图12页 (54)发明名称 射束整形体及中子捕获治疗系统 (57)摘要 本发明一方面涉及一种用于中子捕获治疗 系统的射束整形体，包括：缓速体，用于将中子射 束的中子减速至超热中子；包围缓速体的反射 体，用于将偏离中子射束的中子反射回中子射束 以提高中子射束强度；及超热中子通量增强体， 用于提高中子射束中的超热中子通量，设置于缓 速体中和/或反射体中和/或缓速体与反射体之 间。本发明的另一方面涉及一种包含上述射束整 形体的中子捕获治疗系统。通过在射束整形体中 设置超热中子通量增强体，增加中子射束中的超 热中子通量，改善中子射源的通量与品质。 A 1 8 7 7 7 8 7 1 1 N C CN 117877781 A 权　利　要　求　书

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