一种半导体结构的制造方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114014259 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111296963.7 (22)申请日 2021.10.29 (71)申请人 安徽奥飞声学科技有限公司 地址 230092 安徽省合肥市高新区习友路 3333号中国（合肥）国际智能语音产业 园研发中心楼611-91室 (72)发明人 夏永禄　刘端　 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) H01L 41/332 (2013.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种半导体结构的制造方法 (57)摘要 本申请公开了一种半导体结构的制造方法， 包括：提供具有环形凹槽的衬底；在所述衬底的 上表面形成阻挡层，所述阻挡层填充所述环形凹 槽；在所述阻挡层上方形成功能层；蚀刻所述衬 底的下表面以形成空腔，直至到达所述功能层时 停止蚀刻。基于该方法能获得的空腔的上顶角接 近于90度，从而有利于空腔上方的功能层保持一 致性。而且，晶圆的中间区域和边缘区域的空腔 尺寸相对一致，进而有利于提高该晶圆的各个半 导体结构的一致性。 A 9 5 2 4 1 0 4 1 1 N C CN 114014259 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供具有环形凹槽