一种半导体结构的制造方法
- 申请专利号:CN202111296963.7
- 公开(公告)日:2024-07-19
- 公开(公告)号:CN114014259A
- 申请人:安徽奥飞声学科技有限公司
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114014259 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111296963.7 (22)申请日 2021.10.29 (71)申请人 安徽奥飞声学科技有限公司 地址 230092 安徽省合肥市高新区习友路 3333号中国(合肥)国际智能语音产业 园研发中心楼611-91室 (72)发明人 夏永禄 刘端 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) H01L 41/332 (2013.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种半导体结构的制造方法 (57)摘要 本申请公开了一种半导体结构的制造方法, 包括:提供具有环形凹槽的衬底;在所述衬底的 上表面形成阻挡层,所述阻挡层填充所述环形凹 槽;在所述阻挡层上方形成功能层;蚀刻所述衬 底的下表面以形成空腔,直至到达所述功能层时 停止蚀刻。基于该方法能获得的空腔的上顶角接 近于90度,从而有利于空腔上方的功能层保持一 致性。而且,晶圆的中间区域和边缘区域的空腔 尺寸相对一致,进而有利于提高该晶圆的各个半 导体结构的一致性。 A 9 5 2 4 1 0 4 1 1 N C CN 114014259 A 权 利 要 求 书 1/1页 1.一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括: 提供具有环形凹槽