发明

一种光罩工艺误差修正方法

2023-05-24 13:31:26 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202011276292.3
  • 公开(公告)日:2024-10-29
  • 公开(公告)号:CN112180678A
  • 申请人:泉意光罩光电科技(济南)有限公司
摘要:本发明公开了一种光罩工艺误差修正方法,涉及元器件制造技术领域。该方法包括:根据预设曝光强度对器件进行曝光处理;获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽,区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区;根据密区的线宽与疏区的线宽的差值,以及每个密区所在的位置,计算密区的预设曝光强度的调整量。上述方法根据曝光处理后光罩图案的变化数据,对曝光光线的反射量进行预估,并对预设曝光强度进行调整,动态地修正光罩工艺中的参数,使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动,降低了光罩生产的成本,也使光罩的品质维持在较高的水平内。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112180678 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011276292.3 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 地址 250000 山东省济南市高新区机场路 7617号411-2-9室 (72)发明人 张家玮 蔡奇澄 黄钲为 周育润  (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 代理人 张洋 (51)Int.Cl. G03F 1/72 (2012.01) G03F 7/20 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图4页 (54)发明名称 一种光罩工艺误差修正方法 (57)摘要 本发明公开了一种光罩工艺误差修正方法, 涉及元器件制造技术领域。该方法包括:根据预 设曝光强度对器件进行曝光处理;获取曝光处理 后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽,区 域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至 少一个密区;根据密区的线宽与疏区的线宽的差 值,以及每个密区所在的位置,计算密区的预设 曝光强度的调整量。上述方法根据曝光处理后光 罩图案的变化数据,对曝光光线的反射量进行预 估,并对预设曝光强度进行调整,动态地修正光 罩工艺中的参数,使得到的光罩图案的线宽在误 差允许的范围内稳定波动,降低了光罩生产的成 A 本,也使光罩的品质维持在较

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