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发明

一种HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体及其制备方法

2023-05-28 09:07:39 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202211451673.X
  • 公开（公告）日：2024-11-26
  • 公开（公告）号：CN115976423A
  • 申请人：江西理工大学
摘要：本发明公开了一种HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体及其制备方法。采用双合金法制备，使HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体形成富Hf相晶界；其制备方法是将主合金和辅合金混合后用磁场成型法获得成型体，然后在真空或者惰性气体中烧结，然后经过时效处理得到复合钕铁硼磁体。本发明能够更好的发挥Hf元素提升钕铁硼磁体矫顽力的作用，并减少制得钕铁硼磁体中的氧含量；使用HfFe合金纳米粉替代了单Hf元素在钕铁硼磁体中的添加，充分发挥纳米粉体的优势，可以在晶界处形成更均匀的富Hf相，控制了Hf元素在晶界的厚度，保证Hf元素不进入或尽量少进入主相晶粒，不影响剩磁，并且解决了Hf元素在高温条件下容易氧化的问题，综合的提高了钕铁硼磁体的磁性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115976423 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211451673.X B22F 3/24 (2006.01) B22F 9/02 (2006.01) (22)申请日 2022.11.21 B22F 9/04 (2006.01) (71)申请人 江西理工大学 B22F 9/12 (2006.01) 地址 341000 江西省赣州市红旗大道86号 B22F 9/14 (2006.01) (72)发明人 王磊　胡欣洋　张莉丽　孙晟谕　 C21D 6/02 (2006.01) 李家节　 C22C 33/02 (2006.01) C22C 38/10 (2006.01) (74)专利代理机构 郑州知一智业专利代理事务 C22C 38/14 (2006.01) 所(普通合伙) 41172

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