发明

AlSiC复合材料及其制备方法和应用2025

2023-12-08 07:31:40 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202311029535.7
  • 公开(公告)日:2025-08-12
  • 公开(公告)号:CN117165806A
  • 申请人:湖北文理学院
摘要:本发明公开一种AlSiC复合材料及其制备方法和应用,所述AlSiC复合材料包括衬底,所述衬底包括碳化硅载体,所述碳化硅载体包括位于表面的硅层,以及所述碳化硅载体间隙中的铝,所述硅层设有凹槽;将碳纳米材料设置在所述凹槽。由于设置在所述凹槽碳纳米材料的活性大于硅原子的活性,碳纳米材料与铝原子之间的结合概率大于碳原子与硅原子之间的结合概率,因此,增加了铝原子的迁移量,特别是在嵌有原子的碳化硅表面。在一定温度下,凹槽中嵌入的碳纳米材料在一定程度上分散了铝的密度,并且增加了液滴对称中心线附近的原子聚集,因此,进一步地提高了复合材料制备过程中的润湿性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117165806 A (43)申请公布日 2023.12.05 (21)申请号 202311029535.7 (22)申请日 2023.08.14 (71)申请人 湖北文理学院 地址 441053 湖北省襄阳市襄樊市隆中路7 号 (72)发明人 吕祎 廖丰 沈世龙 吴何畏  孙艳玲 刘红梅  (74)专利代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代 理事务所 44287 专利代理师 王宁 (51)Int.Cl. C22C 1/10 (2023.01) B22D 23/04 (2006.01) B23K 26/352 (2014.01) H01L 23/29 (2006.01) 权利要求书1页 说明书10页 附图2页 (54)发明名称 AlSiC复合材料及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开一种AlSiC复合材料及其制备方 法和应用,所述AlSiC复合材料包括衬底,所述衬 底包括碳化硅载体,所述碳化硅载体包括位于表 面的硅层,以及所述碳化硅载体间隙中的铝,所 述硅层设有凹槽;将碳纳米材料设置在所述凹 槽。由于设置在所述凹槽碳纳米材料的活性大于 硅原子的活性,碳纳米材料与铝原子之间的结合 概率大于碳原子与硅原子之间的结合概率,因 此,增加了铝原子的迁移量,特别是在嵌有原子 的碳化硅表面。在一定温度下,凹槽中嵌入的碳 纳米材料在一定程度上分散了铝的密度,并

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