基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117348160 A (43)申请公布日 2024.01.05 (21)申请号 202311296629.0 G02B 5/08 (2006.01) (22)申请日 2023.10.08 (71)申请人 广州铌奥光电子有限公司 地址 510530 广东省广州市黄埔区姬火路6 号102房 (72)发明人 邓华迪　 (74)专利代理机构 广州嘉权专利商标事务所有 限公司 44205 专利代理师 任宇杭 (51)Int.Cl. G02B 6/26 (2006.01) G02B 6/24 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/13 (2006.01) G02B 6/132 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件 及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂波导的 垂直光学耦合器件及其制备方法，器件包括衬 底、铌酸锂波导结构、包层、金属反射镜结构、键 合层和光电监控探测器，其中，铌酸锂波导结构 包括铌酸锂波导和埋氧层；铌酸锂波导结构和包 层中设置有开口朝向光电监控探测器的斜面开 口结构，斜面开口结构贯穿包层且嵌入预设深度 的埋氧层，斜面开口结构的侧面与光电监控探测 器的收光面成预设角度的夹角；金属反射镜结