一种IGBT过流保护电路

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218648795 U (45)授权公告日 2023.03.17 (21)申请号 202222711475.4 (22)申请日 2022.10.14 (73)专利权人 嘉兴斯达微电子有限公司 地址 314000 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇 凌公塘路3339号（嘉兴科技城）1号楼 220室 (72)发明人 陈舒佳　朱妍旭　杨黎丽　 (74)专利代理机构 上海申新律师事务所 31272 专利代理师 吴轶淳 (51)Int.Cl. H03K 17/082 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)实用新型名称 一种IGBT过流保护电路 (57)摘要 本实用新型提供一种IGBT过流保护电路，涉 及IGBT应用技术领域，包括：IGBT模块，IGBT模块 的输出端串联有采样电阻；全波整流模块，全波 整流模块的第一输入端与采样电阻的一端相连， 全波整流模块的第二输入端与采样电阻的另一 端相连，全波整流模块用于检测采样电阻两端的 电压差，并将电压差取绝对值后放大得到采样电 压；电压比较模块，电压比较模块的输入端连接 全波整流模块的输出端，电压比较模块的输出端 通过控制模块连接IGBT模块，电压比较模块用于 将采样电压与基准电压进行比较，并在采样电压 不小于基准电压时，通过控制模块关断IGBT模 U 块，以对IGBT模块进行双向过流保护。有益效果 5 是结构简单，相较于传统的放大电路，能够保护 9 7 8 双向过流状态。 4 6