用于MEMS谐振器的低应力封装结构2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117155330 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311089212.7 (22)申请日 2023.08.25 (71)申请人 中国地质大学（武汉） 地址 430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路 388号 (72)发明人 涂鑫　邵金涛　 (74)专利代理机构 武汉知产时代知识产权代理 有限公司 42238 专利代理师 程泽 (51)Int.Cl. H03H 9/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) H03H 9/10 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 用于MEMS谐振器的低应力封装结构 (57)摘要 本发明涉及传感器芯片领域，尤其是涉及一 种适用于MEMS谐振器的低应力封装结构，包括 MEMS芯片、隔离层、粘接结构和ASIC芯片，MEMS芯 片包含封盖层、结构层、上下锚点层与衬底层，封 盖层与衬底层键合并形成一个空腔，用于放置结 构层，结构层通过上下锚点层与封盖层、衬底层 连接，下锚点层之间有弹簧结构，用于释放衬底 的应力，衬底层上表面有多个波浪纹结构与深 槽，用于吸收应力与隔离应力，与衬底层下连接 的隔离层有一凹槽，凹槽表面有波浪纹结构，用 于隔离与吸收应力，隔离层与ASIC芯片之间通过 粘接结构粘接，该结构通过多级应力隔离与应力 A 释放