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PCT发明

导电性二维粒子及其制造方法

2023-05-12 11:03:11 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202180053101.3
  • 公开（公告）日：2023-05-09
  • 公开（公告）号：CN116096669A
  • 申请人：株式会社村田制作所
摘要：提供一种导电性二维粒子及其制造方法，氯与溴的含有率在一定以下，适合于无卤素用途，此外不使用粘合剂就能够形成高导电性薄膜。上述导电性二维粒子，是包含1个层、或包含1个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子，其中，所述层包括：由下式：MmXn(式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或其组合，n为1以上且4以下，m大于n并在5以下)表示的层主体；存在于该层主体的表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种)，所述层的M与从PO43‑、I和SO42‑所构成的群中选择的至少一种结合，氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下，所述二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116096669 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202180053101.3 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 (22)申请日 2021.08.27 专利代理师 韩聪 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 2020-147676 2020.09.02 JP B82Y 30/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.02.27 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2021/031565 2021.08.27 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/050191 JA 2022.03.10 (71)申请人 株式会社村田制作所 地址 日本京都府 (72)发明人 坂本宙树　小柳雅史　柳町章麿　 权利要求书1页 说明书15页 附图5页 (54)发明名称 导电性二维粒子及其制造方法 (57)摘要 提供一种导电性二维粒子及其制造方法，氯 与溴的含

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