一种高性能氮化硅陶瓷基板的叠层烧结工艺方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116161970 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202211708493.5 (22)申请日 2022.12.29 (71)申请人 无锡海古德新技术有限公司 地址 214000 江苏省无锡市锡山经济开发 区东部科技园1号 (72)发明人 孙伟　胡丰　 (74)专利代理机构 无锡佳信专利代理事务所 (普通合伙) 32505 专利代理师 宋亚超 (51)Int.Cl. C04B 35/593 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01) C04B 35/645 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种高性能氮化硅陶瓷基板的叠层烧结工 艺方法 (57)摘要 本发明公开了一种高性能氮化硅陶瓷基板 的叠层烧结工艺方法。将流延成型制得的氮化硅 流延坯片裁剪成适当尺寸，将去离子水、分散剂、 氮化硼粉末按比例配置成悬浮液浆料，对裁剪后 的流延坯片表面喷涂悬浮液浆料，然后对喷涂后 的流延坯片进行干燥；将完成覆粉后的流延坯片 叠层摆放至氮化硼陶瓷匣钵之中，并在氮化硅叠 层坯片上压放一块打有孔洞的氮化硼陶瓷块，对 放置在氮化硼匣钵的氮化硅叠层坯片进行排胶 处理；在排胶后的置于氮化硼匣钵内的氮化硅叠 层坯片上继续压放一块碳化钨陶瓷块，碳化钨陶 A 瓷块压在氮化硼陶瓷块上，在烧结炉