电子束或离子束在绝缘材料表面成像或微纳加工的方法
- 申请专利号:CN202011419108.6
- 公开(公告)日:2021-04-09
- 公开(公告)号:CN112624036A
- 申请人:浙江大学
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112624036 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011419108.6 (22)申请日 2020.12.07 (71)申请人 浙江大学 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 (72)发明人 王伟 庞陈雷 佘玄 杨青 吴兰 (74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公 司 33200 代理人 林松海 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01J 37/26 (2006.01) H01J 37/30 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 电子束或离子束在绝缘材料表面成像或微 纳加工的方法 (57)摘要 本发明公开了一种电子束或离子束在绝缘 材料表面成像或微纳加工的方法,包括以下步 骤:1)准备一片超薄导电盖板;2)制备超薄微窗 导电盖板;3)对于待刻蚀区域的位置无定点要求 的加工需求,将超薄微窗导电盖板覆盖于绝缘衬 底表面并固定;对于待刻蚀区域的位置有定点要 求的加工需求,使超薄微窗导电盖板的通孔精准 覆盖待刻蚀区域,然后固定;4)放置于样品台表 面,固定;5)接地处理;6)将样品台放置于真空腔 中;7)将电子束或聚焦离子束穿过通孔聚焦于绝 缘材料表面进行成像或者刻蚀。本发明流程简 A 单,对样品不存在任何影响,目