使用反馈电路控制RRAM器件的装置

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113793631 A (43)申请公布日 2021.12.14 (21)申请号 202110886976.3 (22)申请日 2021.08.03 (71)申请人 特忆智能科技 地址 美国加利福尼亚州纽瓦克市中央大道 8407号2层2008办公室(CA) (72)发明人 胡淼　葛宁　 (74)专利代理机构 北京开阳星知识产权代理有 限公司 11710 代理人 祝乐芳 (51)Int.Cl. G11C 13/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 使用反馈电路控制RRAM器件的装置 (57)摘要 本公开实施例公开了一种在交叉开关电路 中使用反馈电路控制RRAM器件的装置。一个示例 性装置包括一个RRAM单元用于形成沟道、一个包 括漏极端、源极端和栅极端的MOSFET，其中所述 MOSFET通过所述漏极端连接至所述RRAM单元；一 个TIA，通过源极端连接至MOSFET；一个第一信号 发生器，连接至RRAM单元；一个第二信号发生器， 通过栅极端连接至MOSFET；一个包括第一输入 端、第二输入端和输出端的比较器，其中所述比 较器通过第一输入端连接至所述TIA，所述第二 输入端连接至一个参考电压源，所述输出端连接 至所述第一信号发生器和所述第二信号发生器。 A 从而，使得在RRAM器件中形成沟道的过程更容易 1 控制。 3 6 3 9 7 3 1 1 N C