发明

以硅烷为介质制备丰度为99%以上的硅-28同位素的制造方法和气体扩散级联2025

2023-12-29 07:21:26 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202311262980.8
  • 公开(公告)日:2025-05-27
  • 公开(公告)号:CN117282267A
  • 申请人:清华大学
摘要:本发明涉及一种以硅烷为介质制备丰度为99%以上的硅‑28同位素的制造方法和气体扩散级联。该方法包括:将天然丰度的硅烷气体供入包括气体扩散分离装置的气体扩散级联,使用高速磁悬浮气体压缩机对每个所述气体扩散级联中进入所述气体扩散分离装置之前的硅烷气体进行压缩,从所述气体扩散级联的轻馏分端得到以硅烷为介质制造丰度为99%以上的硅‑28同位素。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117282267 A (43)申请公布日 2023.12.26 (21)申请号 202311262980.8 (22)申请日 2023.09.27 (71)申请人 清华大学 地址 100084 北京市海淀区清华园1号 (72)发明人 周明胜 姜东君 孙旺  (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所(普通合伙) 11277 专利代理师 李茂家 闫俊萍 (51)Int.Cl. B01D 59/50 (2006.01) C01B 33/04 (2006.01) B01D 59/10 (2006.01) B01D 59/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 以硅烷为介质制备丰度为99%以上的硅-28 同位素的制造方法和气体扩散级联 (57)摘要 本发明涉及一种以硅烷为介质制备丰度为 99%以上的硅‑28同位素的制造方法和气体扩散 级联。该方法包括:将天然丰度的硅烷气体供入 包括气体扩散分离装置的气体扩散级联,使用高 速磁悬浮气体压缩机对每个所述气体扩散级联 中进入所述气体扩散分离装置之前的硅烷气体 进行压缩,从所述气体扩散级联的轻馏分端得到 以硅烷为介质制造丰度为99%以上的硅‑28同位 素。 A 7 6 2 2 8 2 7 1 1 N C CN 117282267 A 权 利 要 求 书

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