发明

一种模斑变换器

2023-06-11 12:25:16 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110281584.4
  • 公开(公告)日:2024-12-13
  • 公开(公告)号:CN112882154A
  • 申请人:武汉华工正源光子技术有限公司
摘要:本发明涉及一种模斑变换器,包括衬底,衬底上从下到上依次设有下包层、覆盖层,下包层的上端从下到上依次设有底层倒锥形波导、第一层波导结构、第二层波导结构,底层倒锥形波导、第一层波导结构、第二层波导结构位于覆盖层内,底层倒锥形波导与第一层波导结构的第一层锥形波导组成第一光场过渡转换结构,第一层波导结构的第一层倒锥形波导与第二层波导结构的第二层锥形波导组成第二光场过渡转换结构,第二层波导结构的第二层倒锥形波导与覆盖层组成模斑扩大结构。本发明采用底层倒锥形波导和两组双锥形波导结构实现光场的上拉效果,减小衬底硅材料对模斑形状的影响,并通过顶部倒锥形波导,实现模斑的放大功能,提升与标准单模光纤的耦合效率。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112882154 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202110281584.4 (22)申请日 2021.03.16 (71)申请人 武汉华工正源光子技术有限公司 地址 430223 湖北省武汉市东湖高新技术 开发区华中科技大学科技园正源光子 产业园 (72)发明人 李春生 周秋桂 胡云 石文虎  张天明  (74)专利代理机构 北京汇泽知识产权代理有限 公司 11228 代理人 代婵 (51)Int.Cl. G02B 6/14 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种模斑变换器 (57)摘要 本发明涉及一种模斑变换器,包括衬底,衬 底上从下到上依次设有下包层、覆盖层,下包层 的上端从下到上依次设有底层倒锥形波导、第一 层波导结构、第二层波导结构,底层倒锥形波导、 第一层波导结构、第二层波导结构位于覆盖层 内,底层倒锥形波导与第一层波导结构的第一层 锥形波导组成第一光场过渡转换结构,第一层波 导结构的第一层倒锥形波导与第二层波导结构 的第二层锥形波导组成第二光场过渡转换结构, 第二层波导结构的第二层倒锥形波导与覆盖层 组成模斑扩大结构。本发明采用底层倒锥形波导 和两组双锥形波导结构实现光场的上拉效果,减 A 小衬底硅材料对模斑形状的影响,并通过顶部倒

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