存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112837730 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011302134.0 (22)申请日 2020.11.19 (30)优先权数据 16/693,677 2019.11.25 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 藤原英弘　陈炎辉　粘逸昕　 (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 代理人 章社杲　李伟 (51)Int.Cl. G11C 11/412 (2006.01) G11C 11/419 (2006.01) 权利要求书4页 说明书11页 附图10页 (54)发明名称 存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方 法 (57)摘要 SRAM包括多个存储器单元，每个存储器单元 包括数据存储单元；数据I/O控件，用于将数据输 入到数据线(BL)以及从数据线(BL)输出数据；以 及多个存取控件，分别连接到至少两个存取控制 线(WL)并且用于启用和禁用来自至少两个WL(WX 和WY)的数据输入和输出。存取控件配置为仅当 两个WL处于其相应的状态时允许数据输入。一种 写入SRAM单元组的方法包括：经由第一WL向单元 发送第一写入启用信号，向相应的单元发送相应 的第二写入启用信号的组，以及对于每个单元， 如果第一写入启用信号和相应的第二写入启用 A 信号中的任何一个处于禁用状态，则防止将数据 0