一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112209332 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 201910619306.8 (22)申请日 2019.07.10 (71)申请人 清华大学 地址 100084 北京市海淀区北京市100084 信箱82分箱清华大学专利办公室 (72)发明人 周斌　陈志勇　王月　邢博文　 魏琦　张嵘　 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限 公司 11245 代理人 王春霞 (51)Int.Cl. B81B 7/02(2006.01) B81C 1/00(2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图6页 (54)发明名称 一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级 真空封装方法 (57)摘要 本发明公开了一种单片六轴IMU的双面电极 制作及圆片级真空封装方法。本发明方法所形成 的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层，在基 底层上实现多层互联结构，优化走线布局，减小 寄生电容，便于后续和外部电路之间的连接；器 件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙，硅柱用于连 接盖帽层上的与基底层金属电极；硅墙分别与基 底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。本发明方 法将真空封装与MEMS敏感结构的加工合并，避免 对裸芯片二次真空封装时可能带来的污染，同时 可实现双面电极制作，为非平面运动信号