一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114804007 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210397408.1 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人 山东大学 地址 250013 山东省青岛市即墨区滨海路 72号 (72)发明人 陶继方　张子超　 (74)专利代理机构 青岛华慧泽专利代理事务所 (普通合伙) 37247 专利代理师 刘娜 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01L 21/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其 制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于多孔硅隔热层的 MEMS真空计及其制备方法，该MEMS真空计包括真 空计主体和键合于其上方的硅帽，所述真空计主 体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、绝 缘介质层一和铂金电极，所述铂金电极分布于所 述绝缘介质层一的局部区域上；所述硅衬底上通 过电化学刻蚀方法形成多孔硅隔热层，所述多孔 硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金 电极，所述硅帽位于所述多孔硅隔热层的上方， 并与所述真空计主体形成检测腔体，所述硅帽具 有空气微流道。本发明所公开的MEMS真空计及制 A 备方法可以解决薄膜型MEMS真空计在强烈的气 7