一种MoS2修饰氮掺杂碳纳米片复合材料及其制备与应用2025
- 申请专利号:CN202310900762.6
- 公开(公告)日:2025-07-01
- 公开(公告)号:CN117049521A
- 申请人:华中科技大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117049521 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202310900762.6 C01G 39/06 (2006.01) (22)申请日 2023.07.21 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 朱文 邱鹏源 (74)专利代理机构 华中科技大学专利中心 42201 专利代理师 许恒恒 (51)Int.Cl. C01B 32/18 (2017.01) H01M 4/58 (2010.01) H01M 4/587 (2010.01) H01M 4/62 (2006.01) H01M 10/0525 (2010.01) 权利要求书1页 说明书11页 附图3页 (54)发明名称 一种MoS 修饰氮掺杂碳纳米片复合材料及 2 其制备与应用 (57)摘要 本发明属于锂电池材料制备技术领域,其公 开了一种MoS 修饰氮掺杂碳纳米片复合材料及 2 其制备与应用,该方法包含以下步骤:(1)将有机 碳源、氮源和溶剂加入研钵中进行充分研磨,得 到混合物;(2)将该混合物在管式炉中煅烧,得到 氮掺杂碳纳米片;(3)将氮掺杂碳纳米片改性进 而得到改性的氮掺杂碳;(4)将改性的氮掺杂碳 纳米片
最新专利
- 一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法公开日期:2025-08-08公开号:CN117756180A申请号:CN202311555004.1一种钠插层诱发高纯1T相二硫化钼固态储氢材料的制备方法
- 发布时间:2024-03-29 07:20:050
- 申请号:CN202311555004.1
- 公开号:CN117756180A
- 一种高纯度电子级二氧化钛的生产方法公开日期:2025-08-08公开号:CN117699848A申请号:CN202311720544.0一种高纯度电子级二氧化钛的生产方法
- 发布时间:2024-03-18 07:55:120
- 申请号:CN202311720544.0
- 公开号:CN117699848A
- 一种非晶态二氧化钛基纳米材料及其制备方法和非晶态二氧化钛基纳米材料提锗的方法公开日期:2025-08-08公开号:CN117566789A申请号:CN202311536967.7一种非晶态二氧化钛基纳米材料及其制备方法和非晶态二氧化钛基纳米材料提锗的方法
- 发布时间:2024-03-02 07:15:030
- 申请号:CN202311536967.7
- 公开号:CN117566789A
- 一种六方薄片状氢氧化钙的制备方法公开日期:2025-08-08公开号:CN117509703A申请号:CN202311631500.0一种六方薄片状氢氧化钙的制备方法
- 发布时间:2024-02-15 07:16:300
- 申请号:CN202311631500.0
- 公开号:CN117509703A
- 一种利用废脱硝催化剂制备高纯偏钛酸的方法公开日期:2025-08-08公开号:CN117263238A申请号:CN202311281946.5一种利用废脱硝催化剂制备高纯偏钛酸的方法
- 发布时间:2023-12-25 07:55:420
- 申请号:CN202311281946.5
- 公开号:CN117263238A
- 一种非晶有机杂化氧钒材料及其制备方法和应用公开日期:2025-08-08公开号:CN117142520A申请号:CN202311126257.7一种非晶有机杂化氧钒材料及其制备方法和应用
- 发布时间:2023-12-08 07:14:030
- 申请号:CN202311126257.7
- 公开号:CN117142520A