1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 物理
PCT发明

提高照射器透射率的光刻方法2024

2024-03-31 07:26:44 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202280055472.X
  • 公开（公告）日：2024-03-29
  • 公开（公告）号：CN117795429A
  • 申请人：ASML荷兰有限公司
摘要：提供了用于调整光刻设备中的照射狭缝均匀性的系统、设备和方法。示例方法可以包括确定用于晶片曝光操作的曝光场是否小于均匀性校正系统的最大曝光场。响应于确定所述曝光场小于所述最大曝光场，所述示例方法可以包括修改与所述最大曝光场相关联的照射狭缝均匀性校准数据，以产生与所述曝光场相关联的经1修改的照射狭缝均匀性校准数据。随后，所述示例方法可以包括基于经修改的照射狭缝均匀性校准数据来确定所述均匀性校正系统的指状物组件的最优位置。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117795429 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202280055472.X (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 (22)申请日 2022.07.27 专利代理师 王益 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 63/232,783 2021.08.13 US G03F 7/20 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2024.02.07 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2022/071140 2022.07.27 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2023/016815 EN 2023.02.16 (71)申请人 ASML荷兰有限公司 地址 荷兰维德霍温 (72)发明人 托德 ·R ·丹尼　M ·曼卡　 W ·戈穆亚　K ·K ·曼卡拉　 J ·奈斯　 权利要求书3页 说明书21页 附图10页 (54)发明名称 提高照射器透射率的光刻方法 (57)摘要

最新专利

相关专利