发明

S波段倍频带低相噪的压控振荡器及信号发生装置

2023-06-30 07:01:47 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202210803716.X
  • 公开(公告)日:2023-03-21
  • 公开(公告)号:CN115051650A
  • 申请人:四川泊微科技有限公司
摘要:本发明公开了一种S波段倍频带低相噪的压控振荡器及信号发生装置,属于电路设计技术领域,耦合谐振腔网络,包括第一耦合谐振器、第二耦合谐振器,第一耦合谐振器、第二耦合谐振器在调谐电压控制下产生不同谐振频率信号;晶体管,晶体管的发射极分别连接至第一耦合谐振器、第二耦合谐振器的输出端,用于放大谐振频率信号;宽带负阻网络,与晶体管基极连接,用于在调谐频带上产生均匀或恒定的负阻。本发明耦合谐振腔网络提供需要的振荡频率,负阻网络与晶体管的基级耦合,提供了在整个通频带内均匀变化的负阻阻值,从而保证VCO能够在整个S波段都能维持稳定振荡的同时保持良好的噪声性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115051650 A (43)申请公布日 2022.09.13 (21)申请号 202210803716.X (22)申请日 2022.05.17 (62)分案原申请数据 202210539819.X 2022.05.17 (71)申请人 四川泊微科技有限公司 地址 610041 四川省成都市中国(四川)自 由贸易试验区成都高新区益州大道中 段1858号16楼1604室 (72)发明人 杨栋  (74)专利代理机构 成都华风专利事务所(普通 合伙) 51223 专利代理师 吴桂芝 (51)Int.Cl. H03B 5/36 (2006.01) H03B 5/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 S波段倍频带低相噪的压控振荡器及信号发 生装置 (57)摘要 本发明公开了一种S波段倍频带低相噪的压 控振荡器及信号发生装置,属于电路设计技术领 域,耦合谐振腔网络,包括第一耦合谐振器、第二 耦合谐振器,第一耦合谐振器、第二耦合谐振器 在调谐电压控制下产生不同谐振频率信号;晶体 管,晶体管的发射极分别连接至第一耦合谐振 器、第二耦合谐振器的输出端,用于放大谐振频 率信号;宽带负阻网络,与晶体管基极连接,用于 在调谐频带上产生均匀或恒定的负阻。本发明耦 合谐振腔网络提供需要的振荡频率,负阻网络与 晶体管的基级耦合,提供了在整个

最新专利