发明

一种宽带高隔离度单刀五置开关2025

2023-09-14 07:12:38 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310215797.6
  • 公开(公告)日:2025-08-12
  • 公开(公告)号:CN116743145A
  • 申请人:西安电子科技大学
摘要:本发明涉及一种宽带高隔离度单刀五置开关,第一至第五开关并联形成五路通道电路;射频输入信号经过第一电感后输入至五路通道电路中;其中,每路通道电路均包括:第二电感、第三电感、第一堆叠MOS管、第二堆叠MOS管、第三堆叠MOS管和第四堆叠MOS管;第一堆叠MOS管、第二电感、第三电感和第四堆叠MOS管依次串联,第二堆叠MOS管连接在第二电感的第二端与接地端之间,第三堆叠MOS管连接在第三电感的第二端与接地端之间;通过控制第一堆叠MOS管、第二堆叠MOS管、第三堆叠MOS管和第四堆叠MOS管的栅控制电压和衬底控制电压实现通道电路的导通和关断。本发明通过电感频率补偿结构补偿寄生电容对带宽的影响,具有插入损耗小、带宽高和隔离度高和的特性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116743145 A (43)申请公布日 2023.09.12 (21)申请号 202310215797.6 (22)申请日 2023.03.08 (71)申请人 西安电子科技大学 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号 (72)发明人 刘马良 魏雨薇 陈亦飞 谢慧全  王天瑞 王子彧  (74)专利代理机构 西安嘉思特知识产权代理事 务所(普通合伙) 61230 专利代理师 勾慧敏 (51)Int.Cl. H03K 17/693 (2006.01) H03K 17/51 (2006.01) H03K 17/687 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种宽带高隔离度单刀五置开关 (57)摘要 本发明涉及一种宽带高隔离度单刀五置开 关,第一至第五开关并联形成五路通道电路;射 频输入信号经过第一电感后输入至五路通道电 路中 ;其中,每路通道电路均包括:第二电感、第 三电感、第一堆叠MOS管、第二堆叠MOS管、第三堆 叠MOS管和第四堆叠MOS管;第一堆叠MOS管、第二 电感、第三电感和第四堆叠MOS管依次串联,第二 堆叠MOS管连接在第二电感的第二端与接地端之 间,第三堆叠MOS管连接在第三电感的第二端与 接地端之间;通过控制第一堆叠MOS管、第二堆叠 MOS管、第三堆叠MOS管和第四堆叠MOS管的栅控 制电压和衬底控制电压实现通道电路的导通和 A 关断

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