发明

一种MEMS芯片封装结构及制作方法2024

2024-03-25 07:54:30 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311786248.0
  • 公开(公告)日:2024-03-22
  • 公开(公告)号:CN117735477A
  • 申请人:苏州园芯微电子技术有限公司
摘要:本发明提供了一种MEMS芯片封装结构及制作方法,芯片封装结构包括:相对设置的器件层和衬底层;器件层的第一表面上设置有第一金属体;衬底层的第二表面上设置有第二金属体,在衬底层的厚度方向上第一金属体和第二金属体投影交叠;器件层和衬底层通过第一金属体和第二金属体键合;在第一表面上于第一金属体的四周分别设置至少一个第一挡坝结构,和/或,在第二表面上于第二金属体的四周分别设置至少一个第二挡坝结构,在第一表面和/或第二表面上设置至少一个凹槽,第一挡坝结构和/或第二挡坝结构与同一表面上的凹槽相配合防止键合产生的金属合金外溢。本发明改善了金属共晶键合时外溢的液相合金的溢流路径,避免外溢至芯片功能区。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117735477 A (43)申请公布日 2024.03.22 (21)申请号 202311786248.0 (22)申请日 2023.12.22 (71)申请人 苏州园芯微电子技术有限公司 地址 215124 江苏省苏州市中国(江苏)自 由贸易试验区苏州片区苏州工业园区 金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区2 幢511室 (72)发明人 张春伟 曹兴龙  (74)专利代理机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 专利代理师 吴娟 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图7页 (54)发明名称 一种MEMS芯片封装结构及制作方法 (57)摘要 本发明提供了一种MEMS芯片封装结构及制 作方法,芯片封装结构包括:相对设置的器件层 和衬底层;器件层的第一表面上设置有第一金属 体;衬底层的第二表面上设置有第二金属体,在 衬底层的厚度方向上第一金属体和第二金属体 投影交叠;器件层和衬底层通过第一金属体和第 二金属体键合;在第一表面上于第一金属体的四 周分别设置至少一个第一挡坝结构,和/或,在第 二表面上于第二金属体的四周分别设置至少一 个第二挡坝结构,在第一表面和/或第二表面上 设置至少一个凹槽,第一挡坝结构和/或

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