半导体存储装置以及错误检测纠正相关信息的读出方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113674794 A (43)申请公布日 2021.11.19 (21)申请号 202110431154.6 (22)申请日 2021.04.21 (30)优先权数据 2020-084259 2020.05.13 JP (71)申请人 华邦电子股份有限公司 地址 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 (72)发明人 神永雄大　 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 11205 代理人 朱颖　臧建明 (51)Int.Cl. G11C 29/42 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图9页 (54)发明名称 半导体存储装置以及错误检测纠正相关信 息的读出方法 (57)摘要 本发明提供一种半导体存储装置以及错误 检测纠正相关信息的读出方法，其可输出与在连 续读出动作中进行了错误纠正的页相关的各种 信息。本发明的NAND型的闪速存储器包括：存储 单元阵列；连续读出部件，连续地读出存储单元 阵列的页；错误检测纠正相关信息存储部(190)， 针对由连续读出部件连续读出的页，存储由错误 检测纠正电路(130)进行了错误纠正的的页相关 的错误检测纠正相关信息；以及输出部件，响应 于连续读出动作后的读出命令，输出错误检测纠 正相关信息存储部(190)中所存储的错误检测纠 A 正相关信息。 4 9 7 4 7 6 3 1 1