发明

一种正性光刻胶剥离液组合物

2023-07-06 10:58:39 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202111114452.9
  • 公开(公告)日:2024-08-13
  • 公开(公告)号:CN113820927A
  • 申请人:易安爱富(武汉)科技有限公司
摘要:本发明提出了一种正性光刻胶剥离液组合物,包括有机胺、有机溶剂、缓蚀剂、络合剂、表面活性剂和渗透剂,按照重量百分比100%计算,所述组合物包括有机胺5‑8%、有机溶剂30‑50%、缓蚀剂10‑15%、络合剂3‑5%,表面活性剂3‑5%,渗透剂1‑5%,余量为水。本发明的光刻胶剥离液具有剥离温度低,时间短,对有机层蚀刻小,且剥离后光刻液不会重新吸附到基板上的优点,在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113820927 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202111114452.9 (22)申请日 2021.09.23 (71)申请人 易安爱富(武汉)科技有限公司 地址 430000 湖北省武汉市东湖开发区流 芳园横路8号武汉天马微电子有限公 司厂房内 (72)发明人 李泰亨 申阳 高峰 苗发虎  白晓鹏  (74)专利代理机构 武汉红观专利代理事务所 (普通合伙) 42247 代理人 王昌亮 (51)Int.Cl. G03F 7/42 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种正性光刻胶剥离液组合物 (57)摘要 本发明提出了一种正性光刻胶剥离液组合 物,包括有机胺、有机溶剂、缓蚀剂、络合剂、表面 活性剂和渗透剂,按照重量百分比100%计算,所 述组合物包括有机胺5‑8%、有机溶剂30‑50%、 缓蚀剂10‑15%、络合剂3‑5%,表面活性剂3‑ 5%,渗透剂1‑5%,余量为水。本发明的光刻胶剥 离液具有剥离温度低,时间短,对有机层蚀刻小, 且剥离后光刻液不会重新吸附到基板上的优点, 在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 A 7 2 9 0 2 8 3 1 1 N C CN 113820927 A 权 利 要 求 书

最新专利