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PCT发明

3D NAND的预测升压

2023-06-16 07:15:44 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN201980077963.2
  • 公开（公告）日：2024-04-16
  • 公开（公告）号：CN113196399A
  • 申请人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：非易失性高性能存储器设备兼顾速度和可靠性，这可包括通道升压以降低存储器单元中的数据错误率。竖直NAND串表现出越大的编程干扰(错误)，字线在该串上越高。本公开在编程达到已经确定因编程干扰而引起的错误可能成问题的水平(字线数)时施加升压的位线电压或应用增加的预充电时间。位线的升压可在存储的字线值之后或基于在先前字线处的计算的错误数发生。在一个示例中，该位线保持与现有字线编程操作相同，直到确定可能的编程干扰为止。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113196399 A (43)申请公布日 2021.07.30 (21)申请号 201980077963.2 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 (22)申请日 2019.12.20 代理人 邱军 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 16/434,436 2019.06.07 US G11C 16/04 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G11C 16/08 (2006.01) 2021.05.26 G11C 16/16 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 G11C 16/24 (2006.01) PCT/US2019/067744 2019.12.20 G11C 16/30 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据

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