一种促进金属有机框架涂层原位生长的基底修饰方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116921188 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202210357009.2 B01J 20/30 (2006.01) (22)申请日 2022.04.06 (71)申请人 中山大学 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西 路135号 (72)发明人 郑娟　陈鹭义　欧阳钢锋　 (74)专利代理机构 广州粤高专利商标代理有限 公司 44102 专利代理师 赵崇杨 (51)Int.Cl. B05D 7/20 (2006.01) B05D 7/24 (2006.01) C08G 83/00 (2006.01) C09D 187/00 (2006.01) B01J 20/26 (2006.01) 权利要求书1页 说明书10页 附图6页 (54)发明名称 一种促进金属有机框架涂层原位生长的基 底修饰方法 (57)摘要 本发明提供了一种促进金属有机框架涂层 原位生长的基底修饰方法。首先对基底表面依次 进行活化、巯基化、双键化后，再通过双键接枝聚 4‑乙烯吡啶。本发明通过对基底表面进行活化、 巯基化、双键化后，其双键可与4‑乙烯基吡啶上 的双键进行自由基聚合反应，有利于聚4‑乙烯吡 啶在基底表面的均匀修饰；聚4‑乙烯吡啶能在不 加入添加剂的前提下有效锚定金属离子，为基底 表面原位生长出连续、均