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抗蚀剂的干式显影

2023-06-16 07:28:26 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201980085227.1
  • 公开(公告)日:2025-07-04
  • 公开(公告)号:CN113227909A
  • 申请人:朗姆研究公司
摘要:抗蚀剂的干式显影可使用于例如在高分辨率图案化中形成图案化掩模。干式显影可有利地通过半导体衬底的处理方法来实现,该方法包括:在处理室中将已光图案化的抗蚀剂提供至半导体衬底上的衬底层上;以及通过以下方式对所述已光图案化的抗蚀剂进行干式显影:通过包括暴露于化学化合物以形成抗蚀剂掩模的干式显影处理来去除所述抗蚀剂的已暴露部分或未暴露部分。所述抗蚀剂可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或有机金属的薄膜EUV抗蚀剂。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113227909 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 201980085227.1 凯文 ·顾  (22)申请日 2019.12.19 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263 代理人 李献忠 张华 (30)优先权数据 62/782,578 2018.12.20 US (51)Int.Cl. G03F 7/36 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G03F 7/16 (2006.01) 2021.06.21 G03F 7/38 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 G03F 7/42 (2006.01) PCT/US2019/067540 2019.12.19 G03F 7/004 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/132281 E

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