光电协同催化半导体原子刻蚀的异质工具制备及刻蚀方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117819473 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202410245124.X (22)申请日 2024.03.05 (71)申请人 浙江大学 地址 310012 浙江省杭州市西湖区浙大路 38号 (72)发明人 朱吴乐　吴思东　孙奇　韩放　 高威　薛曹阳　赵翔　贾炳春　 王靖远　张伟建　居冰峰　 (74)专利代理机构 杭州君度专利代理事务所 (特殊普通合伙) 33240 专利代理师 徐超 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 光电协同催化半导体原子刻蚀的异质工具 制备及刻蚀方法 (57)摘要 本发明公开了一种光电协同催化半导体原 子刻蚀的异质工具制备及刻蚀方法，属于半导体 材料原子及近原子尺度极端制造领域，该异质工 具通过以下方式制备：以纳米级尖端半径的工具 为基底，端沉积黏附层；在黏附层外构建均相掺 杂异质结构光电催化薄膜或层状界面异质结构 光电催化薄膜，进行热处理得到光电协同催化半 导体原子刻蚀的异质工具。刻蚀时，通过光纤引 入催化光源，辐照至催化工具表面调控其原子刻 蚀效果。本发明依靠界面光电协同催化化学反应 去除材料，不会产