深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法与装置2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117756118 A (43)申请公布日 2024.03.26 (21)申请号 202311836304.7 B01J 19/00 (2006.01) (22)申请日 2023.12.28 (71)申请人 宁夏福泰材料科技有限公司 地址 753410 宁夏回族自治区石嘴山市石 嘴山经济技术开发区管委会办公楼 226 申请人 宁夏福泰硅业有限公司　 中国科学院过程工程研究所 (72)发明人 刘宇航　陆平　李运昌　刘周恩　 席成涛　陈锦溢　华超　 (74)专利代理机构 宁夏和信汇志知识产权代理 有限公司 64109 专利代理师 安少妮 (51)Int.Cl. C01B 33/107 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图2页 (54)发明名称 深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢 硅的方法与装置 (57)摘要 本申请提供了一种深度脱除痕量磷硼杂质 制备电子级三氯氢硅的方法，包括：将三氯氢硅 粗品精馏分离依次脱除重组分杂质、轻组分杂 质，得到含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅 产品；将含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅 产品蒸发成三氯氢硅蒸汽后通入到流化床吸附 磷硼杂质装置内，并与改性活性炭吸附剂在流态 化下充分接触混合，使三氯氢硅蒸汽中的痕量磷 硼杂质被改性活性炭吸附剂充分吸附