发明

一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金及其制备方法2025

2023-11-24 07:17:03 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310911580.9
  • 公开(公告)日:2025-03-07
  • 公开(公告)号:CN117089751A
  • 申请人:中南大学
摘要:本发明提供了一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金及其制备方法,属于镁合金材料技术领域。本发明提供的低合金化室温高塑性高阻尼镁合金包括以下质量百分比的元素:Gd:0.5~1.5%,Zn:0.5~0.9%,Zr:0.3~0.6%,余量为Mg。本发明通过在镁基体中添加低含量的Gd、Zn和Zr元素,不仅能够起到固溶强化、析出强化和细晶强化多重作用,而且在多种元素的交互作用下促进镁合金非基面位错滑移,激发位错型阻尼机制,有效提高镁合金塑性和阻尼性能。本发明提供的低合金化室温高塑性高阻尼镁合金具有优良的塑性和阻尼性能,同时还能够使镁合金具有较高的强度,尤其是较高的屈服强度,使镁合金具有更广泛的应用前景。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117089751 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202310911580.9 C22F 1/06 (2006.01) (22)申请日 2023.07.24 (71)申请人 中南大学 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南 路932号 (72)发明人 刘楚明 蒋树农 马亚杰 高永浩  万迎春  (74)专利代理机构 北京方圆嘉禾知识产权代理 有限公司 11385 专利代理师 崔玥 (51)Int.Cl. C22C 23/06 (2006.01) C22C 23/04 (2006.01) C22C 1/02 (2006.01) C22C 1/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图1页 (54)发明名称 一种低合金化室温高塑性高阻尼镁合金及 其制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种低合金化室温高塑性高 阻尼镁合金及其制备方法,属于镁合金材料技术 领域。本发明提供的低合金化室温高塑性高阻尼 镁合金包括以下质量百分比的元素:Gd :0.5 ~ 1.5%,Zn:0.5 ~0.9%,Zr:0.3 ~0.6%,余量为 Mg 。本发明通过在镁基体中添加低含量的Gd、Zn 和Zr元素,不仅能够起到固溶强化、析出强化和 细晶强化多重作用,而且在多种元素的交互作用 下促进

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