一种MEMS器件制造方法及MEMS器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113735055 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110822242.9 (22)申请日 2021.07.21 (71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公 司 地址 312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街 道临江路518号 (72)发明人 王新龙　 (74)专利代理机构 绍兴市知衡专利代理事务所 (普通合伙) 33277 代理人 邓爱民 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种MEMS器件制造方法及MEMS器件 (57)摘要 本发明涉及一种MEMS器件制造方法及MEMS 器件，选用SOI绝缘体硅片作为衬底，通过SOI顶 层硅与作为结构层的硅晶圆进行硅‑硅键合，使 整个制造工艺可以兼容VHF工艺；在形成疏水有 机膜之前，先在需要去除疏水有机膜的区域淀积 一层牺牲层二氧化硅，在形成疏水有机膜后，可 以借助VHF工艺将键合区和电极区上的二氧化硅 牺牲层刻蚀掉，去除二氧化硅的同时也一并将键 合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，而其他 区域需要保留的疏水有机膜则不会受到影响。本 发明所公开的制造方法工艺简单、可实施性强、 能够同时将键合区和电极区上的疏水有机膜去 A 除干净，