一种MEMS敏感结构及其制备方法
- 申请专利号:CN202211342032.0
- 公开(公告)日:2025-06-24
- 公开(公告)号:CN115709968A
- 申请人:华东光电集成器件研究所
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115709968 A (43)申请公布日 2023.02.24 (21)申请号 202211342032.0 G01L 9/06 (2006.01) (22)申请日 2022.10.31 (71)申请人 华东光电集成器件研究所 地址 233030 安徽省蚌埠市经开区汤和路 2016号 (72)发明人 包星晨 王鹏 赵斌 任俊辉 陈健 (74)专利代理机构 安徽省蚌埠博源专利商标事 务所(普通合伙) 34113 专利代理师 杨晋弘 (51)Int.Cl. B81B 3/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01L 1/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种MEMS敏感结构及其制备方法 (57)摘要 本发明提供一种MEMS敏感结构及其制备方 法,它包括在硅衬底(8)上从上到下依次包括引 线层(5)、绝缘层(3)、第一氧化层(1)、压敏电阻 (2)、敏感膜片(9)、第二腔体(7)、第一腔体(6)和 第二氧化层(11)。本发明提供的MEMS敏感结构具 有开口小的优点,有效的保持了芯片小面积,降 低对加工设备能力的要求,工艺简单,适用于 MEMS敏感结构芯片制造。 A 8 6 9 9 0 7
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