压电微机电系统（MEMS）结构及其形成方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116639645 A (43)申请公布日 2023.08.25 (21)申请号 202310350634.9 (22)申请日 2023.04.04 (30)优先权数据 63/364,038 2022.05.03 US 17/811,109 2022.07.07 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 陈亭蓉　 (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 专利代理师 章社杲　李伟 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81B 3/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图20页 (54)发明名称 压电微机电系统 （MEMS）结构及其形成方法 (57)摘要 通过工艺形成膜，工艺包括：沉积第一压电 层；在第一压电层上方沉积第一电极层；图案化 第一电极层以形成第一电极；在第一电极上方沉 积第二压电层；在第二压电层上方沉积第二电极 层；图案化第二电极层以形成第二电极；以及在 第二电极上方沉积第三压电层。蚀刻第三压电 层、第二压电层和第一压电层以形成通孔。通孔 与第一电极和第二电极横向间隔开。然后形成第 一接触插塞和第二接触插塞以分别电连接至第 一电极和第二电极。本申请的实施例还涉及压电 微机电系统(MEMS)结构及其形成方