一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统和方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117524930 A (43)申请公布日 2024.02.06 (21)申请号 202311475240.2 (22)申请日 2023.11.07 (71)申请人 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公 司 地址 110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900 号 (72)发明人 陶中博　张亚新　杨萌　温宏营　 阮大鹏　 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公 司 31100 专利代理师 陶玉龙 (51)Int.Cl. H01L 21/67 (2006.01) G05D 23/20 (2006.01) H05B 1/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图2页 (54)发明名称 一种半导体腔室双加热盘的温度控制系统 和方法 (57)摘要 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的 说，涉及一种半导体腔室双加热盘的温度控制系 统和方法。本发明提供了一种半导体腔室双加热 盘的温度控制系统，包括：第一加热盘和第二加 热盘，温度采集单元，对第一加热盘和第二加热 盘进行温度采集；控制单元，设置于腔体外，调整 执行单元的输出功率；执行单元，对第一加热盘、 第二加热盘进行加热；其中，所述控制单元为PID 控制器，选择多个温度区域段进行分段PID整定， 对执行单元进行PID调节。本发明可以在不同温 度环境下对两个加热盘的温度分别进行采集