一种MEMS器件真空封装方法2024
- 申请专利号:CN202311047725.1
- 公开(公告)日:2024-06-18
- 公开(公告)号:CN117049470A
- 申请人:北京中科格励微科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117049470 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202311047725.1 (22)申请日 2023.08.18 (71)申请人 北京中科格励微科技有限公司 地址 100190 北京市海淀区中关村南一条 甲1号中科爱克大厦10层 (72)发明人 赵婷 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 专利代理师 贾磊 许曼 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 一种MEMS器件真空封装方法 (57)摘要 本说明书实施例提供一种MEMS器件真空封 装方法,包括获取一SOI晶圆 ;在SOI晶圆上制备 MEMS结构得到包括可动结构的MEMS结构晶圆 ;获 取一硅晶圆或一SOI晶圆并制备凹槽结构得到盖 板晶圆;将MEMS结构晶圆和盖板晶圆进行非贴合 对准以形成微型预备腔,可动结构容置于微型预 备腔内;将MEMS结构晶圆和盖板晶圆置于键合设 备中以重复进行抽气、充气、抽气操作;对MEMS结 构晶圆和盖板晶圆进行键合以使微型预备腔形 成微型气密腔得到键合片;将键合片置于加热设 备中,以使微型气密腔内残留的气体逃逸或使其 与微型气密腔内壁面和可动结构表面反应生成 A 膜层。本方法工艺简单,能够提高器件中微型气 0 密腔的真空度,提高器件品质。 7 4 9 4 0 7 1 1 N C