一种记忆合金微纳结构及制造方法2026

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118068457 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410220942.4 G03F 7/00 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) (22)申请日 2024.02.28 (71)申请人 四川大学 地址 610065 四川省成都市一环路南一段 24号 (72)发明人 贺裕鹏　余德平　张鹏　刘进伟　 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 瞿艺 (51)Int.Cl. G02B 1/00 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) G02F 1/01 (2006.01) G02F 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种记忆合金微纳结构及制造方法 (57)摘要 本发明公开一种记忆合金微纳结构及制造 方法，涉及光学结构器件领域，记忆合金微纳结 构采用记忆合金材质且能够实现宽光谱调控，其 制造方法包括以下步骤：步骤一、制作出微纳结 构模具；步骤二、在记忆合金块的上表面涂覆光 刻胶，对记忆合金块和光刻胶进行加热，采用微 纳结构模