发明

使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少

2023-05-05 09:21:19 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202111030957.7
  • 公开(公告)日:2025-04-25
  • 公开(公告)号:CN114250117A
  • 申请人:福吉米株式会社
摘要:本发明涉及使用包含氧化剂的清洁剂的CMP后缺陷的有效减少。本技术总体上涉及用于清洁CMP后半导体表面的液体组合物,和其上具有二氧化铈(CeO2)颗粒的半导体表面的清洁方法。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114250117 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111030957.7 C11D 3/34 (2006.01) C11D 3/36 (2006.01) (22)申请日 2021.09.03 C11D 3/39 (2006.01) (30)优先权数据 C11D 3/60 (2006.01) 63/083,343 2020.09.25 US H01L 21/02 (2006.01) (71)申请人 福吉米株式会社 H01L 21/3105 (2006.01) 地址 日本爱知县 (72)发明人 布兰登 ·克罗克特  吉米 ·格兰斯特伦姆  (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇 李茂家 (51)Int.Cl. C11D 1/06 (2006.01) C11D 3/12 (2006.01) C11D

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