纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109785895 A (43)申请公布日 2019.05.21 (21)申请号 201910080160.4 (22)申请日 2019.01.28 (71)申请人 西安紫光国芯半导体有限公司 地址 710003 陕西省西安市高新区软件新 城天谷八路528号国家电子商务示范 基地西区606 (72)发明人 吕晶　周小锋　江喜平　 (74)专利代理机构 北京北翔知识产权代理有限 公司 11285 代理人 关丽丽　郑建晖 (51)Int.Cl. G11C 29/42(2006.01) G11C 29/44(2006.01) 权利要求书3页 说明书11页 附图3页 (54)发明名称 纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和 方法 (57)摘要 本发明提供了纠正NAND Flash中多比特错 误的ECC装置和方法。该装置和方法通过将待处 理数据进行空间变换，将数据从一维变换到二维 空间，把数据位的错误分散到多个编码单元中， 然后分别对行和列的维度上分别进行Hamming编 码，将行ECC编码和列ECC编码以及数据一起保存 在NAND Flash中。在数据读取时，将数据再次变 换到二维空间，利用行ECC编码/列ECC编码分别 进行校验，用列ECC校验成功的数据更新行数据， 实现多比特纠错的目的。