PCT发明

先进封装应用的差别对比镀覆

2023-05-10 11:40:50 发布于四川 2

申请专利号：CN202080067446.X
公开（公告）日：2025-03-21
公开（公告）号：CN114514340A
申请人：朗姆研究公司

摘要：提供将金属电镀至衬底上部分制成的电子装置的特征(具有实质上不同深度)中的方法。该方法包括将加速剂吸附至凹陷特征的底部中；在电镀溶液中通过自下向上填充机制部分地填充特征；使整平剂扩散至浅特征中，以相比于深特征而降低浅特征中的镀覆速率；以及将更多金属电镀至特征中，以使深特征中的金属高度近似于浅特征中的金属高度。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114514340 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202080067446.X 贾斯廷 ·奥伯斯特　蔡利鹏　布莱恩 ·L ·巴卡柳　 (22)申请日 2020.07.22 史蒂芬 ·T ·迈耶　 (30)优先权数据 (74)专利代理机构上海胜康律师事务所 31263 62/879,277 2019.07.26 US 专利代理师樊英如　张静 (85)PCT国际申请进入国家阶段日 (51)Int.Cl. 2022.03.25 C25D 7/12 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 C25D 17/00 (2006.01) PCT/US2020/070303 2020.07.22 H01L 23/00 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据

先进封装应用的差别对比镀覆

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